VS-GB50YF120N Preços (USD) [587pcs Estoque]
- 1 pcs$78.96530
- 12 pcs$65.09259
- Número da peça:
- VS-GB50YF120N
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 66A 330W ECONO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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VS-GB50YF120N Atributos do produto
Número da peça :
VS-GB50YF120N
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
IGBT 1200V 66A 330W ECONO
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuração :
-
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
66A
Potência - Max :
330W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
4.5V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
-
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ECONO2 4PACK
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