Microsemi Corporation - APT50GT60BRDQ2G

KEY Part #: K6422640

APT50GT60BRDQ2G Preços (USD) [10425pcs Estoque]

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  • 100 pcs$2.92515
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  • 500 pcs$2.45080
  • 1,000 pcs$2.13457

Número da peça:
APT50GT60BRDQ2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 600V 110A 446W TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Propósito Específico ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GT60BRDQ2G Atributos do produto

Número da peça : APT50GT60BRDQ2G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 600V 110A 446W TO247
Series : Thunderbolt IGBT®
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 110A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 150A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 50A
Potência - Max : 446W
Energia de comutação : 995µJ (on), 1070µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 240nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 14ns/240ns
Condição de teste : 400V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 22ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]