APTGT75DH120T3G Preços (USD) [1817pcs Estoque]
- 1 pcs$23.81987
- 100 pcs$23.18835
- Número da peça:
- APTGT75DH120T3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOD IGBT 1200V 110A SP3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTGT75DH120T3G electronic components. APTGT75DH120T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT75DH120T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTGT75DH120T3G Atributos do produto
Número da peça :
APTGT75DH120T3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOD IGBT 1200V 110A SP3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Asymmetrical Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
110A
Potência - Max :
357W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
250µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
5.34nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP3
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