GeneSiC Semiconductor - 1N5831

KEY Part #: K6425116

1N5831 Preços (USD) [7149pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.82896
  • 100 pcs$5.79996

Número da peça:
1N5831
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5831 Atributos do produto

Número da peça : 1N5831
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 35V
Atual - Média Retificada (Io) : 25A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 580mV @ 25A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2mA @ 20V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AA, DO-4, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-4
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
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