Número da peça :
HS1J M2G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
75ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C