Toshiba Semiconductor and Storage - RN1119MFV,L3F

KEY Part #: K6528728

RN1119MFV,L3F Preços (USD) [3227101pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01146

Número da peça:
RN1119MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1119MFV,L3F electronic components. RN1119MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1119MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1119MFV,L3F Atributos do produto

Número da peça : RN1119MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 1 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) : -
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 100nA (ICBO)
Freqüência - Transição : -
Potência - Max : 150mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-723
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VESM

Você também pode estar interessado em