STGWT80H65DFB Preços (USD) [12469pcs Estoque]
- 1 pcs$3.30525
- 10 pcs$2.98486
- 100 pcs$2.47100
- 500 pcs$2.15172
- 1,000 pcs$1.87408
- Número da peça:
- STGWT80H65DFB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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STGWT80H65DFB Atributos do produto
Número da peça :
STGWT80H65DFB
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
120A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
240A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Potência - Max :
469W
Energia de comutação :
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
414nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
84ns/280ns
Condição de teste :
400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
85ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P
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