Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA60L-5703M3/51

KEY Part #: K6541164

[12466pcs Estoque]


    Número da peça:
    G3SBA60L-5703M3/51
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição detalhada:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA60L-5703M3/51 electronic components. G3SBA60L-5703M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA60L-5703M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G3SBA60L-5703M3/51 Atributos do produto

    Número da peça : G3SBA60L-5703M3/51
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrição : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Single Phase
    Tecnologia : Standard
    Tensão - pico reverso (máximo) : 600V
    Atual - Média Retificada (Io) : 2.3A
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 2A
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : 4-SIP, GBU
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : GBU

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