Vishay Semiconductor Diodes Division - US1B-E3/61T

KEY Part #: K6454678

US1B-E3/61T Preços (USD) [636328pcs Estoque]

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Número da peça:
US1B-E3/61T
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1B-E3/61T Atributos do produto

Número da peça : US1B-E3/61T
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C

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