ON Semiconductor - NGTB50N60S1WG

KEY Part #: K6424739

NGTB50N60S1WG Preços (USD) [17671pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.33218
  • 150 pcs$2.02123

Número da peça:
NGTB50N60S1WG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 50A 600V TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NGTB50N60S1WG Atributos do produto

Número da peça : NGTB50N60S1WG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 50A 600V TO-247
Series : -
Status da Peça : Last Time Buy
Tipo IGBT : Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 50A
Potência - Max : 417W
Energia de comutação : 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 220nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 100ns/237ns
Condição de teste : 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 94ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3