RGF1M-E3/67A Preços (USD) [550125pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07095
- 1,500 pcs$0.07060
- 3,000 pcs$0.06437
- 7,500 pcs$0.06021
- 10,500 pcs$0.05606
- Número da peça:
- RGF1M-E3/67A
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1M-E3/67A electronic components. RGF1M-E3/67A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGF1M-E3/67A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGF1M-E3/67A Atributos do produto
Número da peça :
RGF1M-E3/67A
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Series :
SUPERECTIFIER®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
500ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214BA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214BA (GF1)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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