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  5. JANTXV1N6642

Microsemi Corporation - JANTXV1N6642

KEY Part #: K6430978

JANTXV1N6642 Preços (USD) [6794pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.06546
  • 145 pcs$5.68637
Número da peça:
JANTXV1N6642
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 300MA. ESD Suppressors / TVS Diodes Diode, switching, low power
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6642 electronic components. JANTXV1N6642 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6642, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N6642 Atributos do produto

Número da peça : JANTXV1N6642
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 300MA
Series : Military, MIL-PRF-19500/578
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 300mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 20ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 500nA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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