ESH3DHE3_A/H Preços (USD) [215724pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17146
- 2,550 pcs$0.11706
- Número da peça:
- ESH3DHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB. Rectifiers 200V 3.0A 25ns Glass Passivated
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ESH3DHE3_A/H electronic components. ESH3DHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3DHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ESH3DHE3_A/H Atributos do produto
Número da peça :
ESH3DHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
900mV @ 3A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
40ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-214AB, SMC
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
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