Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV19W-HE3-18

KEY Part #: K6440052

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Número da peça:
BAV19W-HE3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV19W-HE3-18 Atributos do produto

Número da peça : BAV19W-HE3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 250mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 200mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOD-123
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOD-123
Temperatura de funcionamento - junção : 150°C (Max)

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