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GeneSiC Semiconductor - 1N8026-GA

KEY Part #: K6424976

1N8026-GA Preços (USD) [448pcs Estoque]

  • 1 pcs$97.57053
  • 10 pcs$92.86155
  • 25 pcs$89.49719
Número da peça:
1N8026-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA electronic components. 1N8026-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8026-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8026-GA Atributos do produto

Número da peça : 1N8026-GA
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 2.5A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-257
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 250°C
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