Vishay Semiconductor Diodes Division - BZT52B8V2-HE3-18

KEY Part #: K6500610

BZT52B8V2-HE3-18 Preços (USD) [2164846pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.01709
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Número da peça:
BZT52B8V2-HE3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123. Zener Diodes 8.2 Volt 0.5W 2% AUTO
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52B8V2-HE3-18 Atributos do produto

Número da peça : BZT52B8V2-HE3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tensão - Zener (Nom) (Vz) : 8.2V
Tolerância : ±2%
Potência - Max : 410mW
Impedância (Max) (Zzt) : 4.5 Ohms
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 6V
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOD-123
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOD-123

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