HGT1S10N120BNST Preços (USD) [51869pcs Estoque]
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- 800 pcs$0.96377
- 1,600 pcs$0.81282
- 2,400 pcs$0.77411
- Número da peça:
- HGT1S10N120BNST
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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HGT1S10N120BNST Atributos do produto
Número da peça :
HGT1S10N120BNST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
35A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
80A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Potência - Max :
298W
Energia de comutação :
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
100nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
23ns/165ns
Condição de teste :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
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