VS-1EFH02HM3/I Preços (USD) [792956pcs Estoque]
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- 10,000 pcs$0.04227
- 30,000 pcs$0.03887
- Número da peça:
- VS-1EFH02HM3/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rct 1A 200V
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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VS-1EFH02HM3/I Atributos do produto
Número da peça :
VS-1EFH02HM3/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB
Series :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
930mV @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
2µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
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