Infineon Technologies - FD150R12RT4HOSA1

KEY Part #: K6532517

FD150R12RT4HOSA1 Preços (USD) [1637pcs Estoque]

  • 1 pcs$26.44980

Número da peça:
FD150R12RT4HOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE 1200V 150A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD150R12RT4HOSA1 Atributos do produto

Número da peça : FD150R12RT4HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE 1200V 150A
Series : C
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Single Chopper
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 150A
Potência - Max : 790W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 150A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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