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  5. JAN1N4454-1

Microsemi Corporation - JAN1N4454-1

KEY Part #: K6433381

JAN1N4454-1 Preços (USD) [123216pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.30018
  • 1,112 pcs$0.29366
Número da peça:
JAN1N4454-1
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4454-1 electronic components. JAN1N4454-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4454-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4454-1 Atributos do produto

Número da peça : JAN1N4454-1
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Series : Military, MIL-PRF-19500/144
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 50V
Atual - Média Retificada (Io) : 200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Rapidez : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100nA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : DO-204AH, DO-35, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-35
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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