Littelfuse Inc. - MG17100D-BN4MM

KEY Part #: K6532597

MG17100D-BN4MM Preços (USD) [805pcs Estoque]

  • 1 pcs$57.65929
  • 60 pcs$52.69524

Número da peça:
MG17100D-BN4MM
Fabricante:
Littelfuse Inc.
Descrição detalhada:
IGBT MOD 1700V 100A PKG D CRCTB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Littelfuse Inc. MG17100D-BN4MM electronic components. MG17100D-BN4MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG17100D-BN4MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG17100D-BN4MM Atributos do produto

Número da peça : MG17100D-BN4MM
Fabricante : Littelfuse Inc.
Descrição : IGBT MOD 1700V 100A PKG D CRCTB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuração : Half Bridge
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 150A
Potência - Max : 690W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 3mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 9nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D3

Você também pode estar interessado em
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.