Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-2EFH01HM3/I

KEY Part #: K6436438

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Número da peça:
VS-2EFH01HM3/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB. Rectifiers Hypfst Rect 2A 100V AEC-Q101 Qualified
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-2EFH01HM3/I Atributos do produto

Número da peça : VS-2EFH01HM3/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 2A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 16ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 2µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C

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