Vishay Semiconductor Diodes Division - UH1B-E3/5AT

KEY Part #: K6446736

UH1B-E3/5AT Preços (USD) [1664pcs Estoque]

  • 7,500 pcs$0.04049

Número da peça:
UH1B-E3/5AT
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH1B-E3/5AT Atributos do produto

Número da peça : UH1B-E3/5AT
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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