Taiwan Semiconductor Corporation - ESH2BA R3G

KEY Part #: K6426660

ESH2BA R3G Preços (USD) [627828pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.05891

Número da peça:
ESH2BA R3G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 100V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH2BA R3G Atributos do produto

Número da peça : ESH2BA R3G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C

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