GeneSiC Semiconductor - 1N1190R

KEY Part #: K6425709

1N1190R Preços (USD) [11842pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$1.93533

Número da peça:
1N1190R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5. Rectifiers 600V 35A REV Leads Std. Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1190R electronic components. 1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1190R Atributos do produto

Número da peça : 1N1190R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard, Reverse Polarity
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 35A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 35A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Chassis, Stud Mount
Pacote / caso : DO-203AB, DO-5, Stud
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-5
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 190°C
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