Microsemi Corporation - APT50GN120L2DQ2G

KEY Part #: K6422638

APT50GN120L2DQ2G Preços (USD) [4911pcs Estoque]

  • 1 pcs$8.82123
  • 10 pcs$7.62719
  • 25 pcs$7.05525
  • 100 pcs$6.48327
  • 250 pcs$5.91120

Número da peça:
APT50GN120L2DQ2G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 134A 543W TO264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT50GN120L2DQ2G Atributos do produto

Número da peça : APT50GN120L2DQ2G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 134A 543W TO264
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : NPT, Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 134A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 150A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Potência - Max : 543W
Energia de comutação : 4495µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 315nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 28ns/320ns
Condição de teste : 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -

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