Número da peça :
NHPM120T3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
500nA @ 200V
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Powermite
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C