NXP USA Inc. - 1N4448,113

KEY Part #: K6452134

[14021pcs Estoque]


    Número da peça:
    1N4448,113
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N4448,113 Atributos do produto

    Número da peça : 1N4448,113
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo de Diodo : Standard
    Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
    Atual - Média Retificada (Io) : 200mA (DC)
    Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1V @ 100mA
    Rapidez : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 4ns
    Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25nA @ 20V
    Capacitância @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote / caso : DO-204AH, DO-35, Axial
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ALF2
    Temperatura de funcionamento - junção : 200°C (Max)

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