Taiwan Semiconductor Corporation - BZD17C12P R3G

KEY Part #: K6502900

BZD17C12P R3G Preços (USD) [876159pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04222

Número da peça:
BZD17C12P R3G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD17C12P R3G Atributos do produto

Número da peça : BZD17C12P R3G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE ZENER 12V 800MW SUB SMA
Series : -
Status da Peça : Active
Tensão - Zener (Nom) (Vz) : 12V
Tolerância : ±5%
Potência - Max : 800mW
Impedância (Max) (Zzt) : 7 Ohms
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 3µA @ 9.1V
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 200mA
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sub SMA

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