Infineon Technologies - BSM100GD120DLCBOSA1

KEY Part #: K6533979

BSM100GD120DLCBOSA1 Preços (USD) [383pcs Estoque]

  • 1 pcs$121.22283

Número da peça:
BSM100GD120DLCBOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GD120DLCBOSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSM100GD120DLCBOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Configuração : Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Potência - Max : -
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 100A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 12.2µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module