Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF12STRRPBF

KEY Part #: K6443055

VS-10ETF12STRRPBF Preços (USD) [2922pcs Estoque]

  • 800 pcs$0.75212

Número da peça:
VS-10ETF12STRRPBF
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF12STRRPBF Atributos do produto

Número da peça : VS-10ETF12STRRPBF
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Series : -
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 10A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 310ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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