EGL34DHE3_A/H Preços (USD) [782736pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04725
- Número da peça:
- EGL34DHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34DHE3_A/H electronic components. EGL34DHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34DHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGL34DHE3_A/H Atributos do produto
Número da peça :
EGL34DHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
Series :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
500mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 500mA
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AA (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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