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  5. MURTA600120

GeneSiC Semiconductor - MURTA600120

KEY Part #: K6468639

MURTA600120 Preços (USD) [671pcs Estoque]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334
Número da peça:
MURTA600120
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA600120 electronic components. MURTA600120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA600120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120 Atributos do produto

Número da peça : MURTA600120
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 300A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 25µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
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