NGTD13R120F2WP Preços (USD) [94150pcs Estoque]
- 1 pcs$0.41530
- 682 pcs$0.34717
- Número da peça:
- NGTD13R120F2WP
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NGTD13R120F2WP electronic components. NGTD13R120F2WP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTD13R120F2WP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NGTD13R120F2WP Atributos do produto
Número da peça :
NGTD13R120F2WP
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Atual - Média Retificada (Io) :
-
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
2.6V @ 25A
Rapidez :
-
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Temperatura de funcionamento - junção :
175°C (Max)
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