Toshiba Semiconductor and Storage - RN1117MFV,L3F

KEY Part #: K6526295

RN1117MFV,L3F Preços (USD) [3227101pcs Estoque]

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  • 8,000 pcs$0.01146

Número da peça:
RN1117MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1117MFV,L3F Atributos do produto

Número da peça : RN1117MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de transistor : NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2) : 4.7 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 30 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - corte de coletor (máx.) : 500nA
Freqüência - Transição : 250MHz
Potência - Max : 150mW
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-723
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : VESM

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