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GeneSiC Semiconductor - MBR60040CTR

KEY Part #: K6470617

MBR60040CTR Preços (USD) [755pcs Estoque]

  • 1 pcs$55.68143
  • 10 pcs$52.20103
Número da peça:
MBR60040CTR
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição detalhada:
DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR60040CTR electronic components. MBR60040CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR60040CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR60040CTR Atributos do produto

Número da peça : MBR60040CTR
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 40V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 300A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 750mV @ 300A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 1mA @ 20V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Twin Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Twin Tower
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