Infineon Technologies - FZ1200R17HE4HOSA2

KEY Part #: K6532850

FZ1200R17HE4HOSA2 Preços (USD) [142pcs Estoque]

  • 1 pcs$326.00658

Número da peça:
FZ1200R17HE4HOSA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MODULE IGBT IHMB130-2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HE4HOSA2 Atributos do produto

Número da peça : FZ1200R17HE4HOSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MODULE IGBT IHMB130-2
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : Single Switch
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1700V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 1200A
Potência - Max : 7800W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 1200A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 5mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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