BAS19LT1G Preços (USD) [4557573pcs Estoque]
- 1 pcs$0.00812
- 3,000 pcs$0.00783
- 6,000 pcs$0.00707
- 15,000 pcs$0.00615
- 30,000 pcs$0.00553
- 75,000 pcs$0.00492
- 150,000 pcs$0.00410
- Número da peça:
- BAS19LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor BAS19LT1G electronic components. BAS19LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19LT1G Atributos do produto
Número da peça :
BAS19LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
120V
Atual - Média Retificada (Io) :
200mA (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Rapidez :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100nA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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