Infineon Technologies - BSM25GD120DN2E3224BOSA1

KEY Part #: K6534519

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Preços (USD) [1020pcs Estoque]

  • 1 pcs$45.53010

Número da peça:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BOSA1 electronic components. BSM25GD120DN2E3224BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 35A
Potência - Max : 200W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 25A
Corrente - corte de coletor (máx.) : 800µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module