NSB8DT-E3/81 Preços (USD) [143207pcs Estoque]
- 1 pcs$0.25828
- 800 pcs$0.24191
- Número da peça:
- NSB8DT-E3/81
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8DT-E3/81 electronic components. NSB8DT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8DT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8DT-E3/81 Atributos do produto
Número da peça :
NSB8DT-E3/81
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 8A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 150°C
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