Infineon Technologies - IKW50N65EH5XKSA1

KEY Part #: K6422698

IKW50N65EH5XKSA1 Preços (USD) [14938pcs Estoque]

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Número da peça:
IKW50N65EH5XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW50N65EH5XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IKW50N65EH5XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Series : TrenchStop™
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 80A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Potência - Max : 275W
Energia de comutação : 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 120nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 25ns/172ns
Condição de teste : 400V, 50A, 12 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 81ns
Temperatura de operação : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3