ON Semiconductor - FGY75T120SQDN

KEY Part #: K6421759

FGY75T120SQDN Preços (USD) [9379pcs Estoque]

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Número da peça:
FGY75T120SQDN
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 1200V 75A UFS.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGY75T120SQDN Atributos do produto

Número da peça : FGY75T120SQDN
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 1200V 75A UFS
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 150A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 300A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 75A
Potência - Max : 790W
Energia de comutação : 6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 399nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 64ns/332ns
Condição de teste : 600V, 75A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 99ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3