1N8031-GA Preços (USD) [2266pcs Estoque]
- 10 pcs$85.58502
- Número da peça:
- 1N8031-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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1N8031-GA Atributos do produto
Número da peça :
1N8031-GA
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
650V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 1A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F :
76pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-276AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-276
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 250°C
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