1N6480HE3/97 Preços (USD) [704650pcs Estoque]
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- Número da peça:
- 1N6480HE3/97
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6480HE3/97 electronic components. 1N6480HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6480HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N6480HE3/97 Atributos do produto
Número da peça :
1N6480HE3/97
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Series :
SUPERECTIFIER®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
200V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitância @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
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