Vishay Semiconductor Diodes Division - V20120SGHM3/4W

KEY Part #: K6443202

V20120SGHM3/4W Preços (USD) [2872pcs Estoque]

  • 1,000 pcs$0.24860

Número da peça:
V20120SGHM3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição detalhada:
DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V20120SGHM3/4W Atributos do produto

Número da peça : V20120SGHM3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Obsolete
Tipo de Diodo : Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 120V
Atual - Média Retificada (Io) : 20A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.33V @ 20A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 250µA @ 120V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Temperatura de funcionamento - junção : -40°C ~ 150°C

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