ON Semiconductor - FGA50T65SHD

KEY Part #: K6423052

FGA50T65SHD Preços (USD) [17480pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.35774
  • 450 pcs$1.60511

Número da peça:
FGA50T65SHD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 100A 319W TO-3PN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA50T65SHD Atributos do produto

Número da peça : FGA50T65SHD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 100A 319W TO-3PN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 150A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Potência - Max : 319W
Energia de comutação : 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 87nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 22.4ns/73.6ns
Condição de teste : 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 34.6ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN