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- Número da peça:
- M393B1G73EB0-CMA
- Fabricante:
- Samsung Semiconductor
- Descrição detalhada:
- DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: LPDDR4X, LPDDR4, GDDR5, DDR3, HBM Flarebolt, SLC Nand, GDDR6 and LPDDR3 ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Samsung Semiconductor M393B1G73EB0-CMA electronic components. M393B1G73EB0-CMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for M393B1G73EB0-CMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
M393B1G73EB0-CMA Atributos do produto
Número da peça :
M393B1G73EB0-CMA
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descrição :
DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
Series :
DDR3
DDR :
DDR3
Tipo de DIMM :
RDIMM
Densidade :
8 GB
Terminou x Org. :
2R x 8
Rapidez :
1866 Mbps
Voltagem :
1.5 V / 1.35 V
Número de Pin :
240
Composição componente :
(512M x 8) x 18
Status do produto :
Mass Production
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