APT33GF120B2RDQ2G Preços (USD) [4845pcs Estoque]
- 1 pcs$8.94169
- 10 pcs$7.73120
- 25 pcs$7.15133
- 100 pcs$6.57150
- 250 pcs$5.99167
- Número da peça:
- APT33GF120B2RDQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 64A 357W TMAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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APT33GF120B2RDQ2G Atributos do produto
Número da peça :
APT33GF120B2RDQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
64A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
75A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 25A
Potência - Max :
357W
Energia de comutação :
1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
170nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
14ns/185ns
Condição de teste :
800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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