Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 3A
Rapidez :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
5µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
1µA @ 600V
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C