VS-2EFU06HM3/I Preços (USD) [76951pcs Estoque]
- 1 pcs$0.50813
- 10,000 pcs$0.43643
- Número da peça:
- VS-2EFU06HM3/I
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrição detalhada:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB. Rectifiers If(AV) 2A Vr 600V AEC-Q101 Qualified
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-2EFU06HM3/I electronic components. VS-2EFU06HM3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-2EFU06HM3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-2EFU06HM3/I Atributos do produto
Número da peça :
VS-2EFU06HM3/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB
Series :
Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Atual - Média Retificada (Io) :
2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.35V @ 2A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
55ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
3µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
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